Z Zytkiewicz: шукати на сайті Z-Library

Kaczor, P., Żytkiewicz, Z. R., Godlewski, M., Dobaczewski, L.

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 190 KB

english, 1994

As observed in far-infrared photoinduced absorption related to the DX defect

Журнал:

Kierdaszuk, Jakub, Kaźmierczak, Piotr, Drabińska, Aneta, Korona, Krzysztof, Wołoś, Agnieszka, Kamińska, Maria, Wysmołek, Andrzej, Pasternak, Iwona, Krajewska, Aleksandra, Pakuła, Krzysztof, Zytkiewicz

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 249 KB

english, 1993

Enhanced Raman scattering and weak localization in graphene deposited on GaN nanowires

Журнал:

E. Litwin-Staszewska, W. Trzeciakowski, R. Piotrzkowski, L. Gonzalez, Z. Zytkiewicz

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.21 MB

english, 2015

High-temperature ultraviolet detection based on surface photovoltage effect in SiN passivated n-GaN films

Matys, M., Adamowicz, B., Zytkiewicz, Z. R., Taube, A., Kruszka, R., Piotrowska, A.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.19 MB

english, 2016

Electrical Properties of InGaP:Si and AlGaAs:Sn Epitaxial Layers

Журнал:

physica status solidi (b)

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 178 KB

english, 1999

Anisotropic Misfit Strain Relaxation in Thin Epitaxial Layers

J. Domagała, J. Bąk-Misiuk, J. Adamczewska, Z. R. Zytkiewicz, E. Dynowska, J. Trela, D. Dobosz, E. Janik, M. Leszczyński

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 162 KB

english, 1999

Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs: Principle and Growth Mechanism

Z. R. Zytkiewicz

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 334 KB

english, 1999

Application of tungsten films for substrate masking in liquid phase epitaxial lateral overgrowth of GaAs

D. Dobosz, Z. R. Zytkiewicz, T.T. Piotrowski, E. Kaminska, E. Papis, A. Piotrowska

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 484 KB

english, 2003

Recent progress in lateral overgrowth of semiconductor structures from the liquid phase

Z. R. Zytkiewicz, D. Dobosz, Y. C. Liu, S. Dost

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 236 KB

english, 2005

Properties of ZrN films as substrate masks in liquid phase epitaxial lateral overgrowth of compound semiconductors

D. Dobosz, K. Golaszewska, Z. R. Zytkiewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, T. T. Piotrowski, A. Barcz, R. Jakiela

Журнал:

A. Wierzbicka, J. Z. Domagala, M. Sarzynski, Z. R. Zytkiewicz

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 160 KB

english, 2005

Spatially resolved X-ray diffraction as a tool for strain analysis in laterally modulated epitaxial structures

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 667 KB

english, 2009

Numerical analysis of growth kinetics of bulk III-V crystals grown by liquid phase electroepitaxy

P. Strak, Z. R. Zytkiewicz, K. Sakowski, S. Krukowski

Журнал:

Z.R. Zytkiewicz, S. Miotkowska

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 296 KB

english, 2010

Compositional control of thick Ga1 - xAl ϰ As layers (x≤0.72) grown by liquid phase electroepitaxy

Журнал:

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 503 KB

english, 1992

Influence of convection on the composition profiles of thick GaAlAs layers grown by liquid phase electroepitaxy

Журнал:

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 484 KB

english, 1993

Determination of Ga1−xAlxAs epitaxial layer composition by X-ray intensity measurements of quasi-forbidden reflections

J. Bak-Misiuk, W. Paszkowicz, J. Domagał, S. Miotkowska, Z.R. Zytkiewicz

Журнал:

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 485 KB

english, 1993

Liquid phase electroepitaxial growth of thick and compositionally uniform AlGaAs layers on GaAs substrates

Журнал:

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 292 KB

english, 1995

A model for epitaxial lateral overgrowth of GaAs by liquid-phase electroepitaxy

Y.C. Liu, Z.R. Zytkiewicz, S. Dost

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 502 KB

english, 2004

Computational analysis of lateral overgrowth of GaAs by liquid-phase epitaxy

Y.C. Liu, Z.R. Zytkiewicz, S. Dost

Журнал:

Ferenc Riesz, Z.R. Zytkiewicz

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 192 KB

english, 2005

The application of Makyoh topography for the study of GaAs layers grown by epitaxial lateral overgrowth

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 324 KB

english, 2001

Epitaxial lateral overgrowth of GaSb layers by liquid phase epitaxy

D. Dobosz, Z.R. Zytkiewicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 109 KB

english, 2003

Effect of stress on interface transformation in thin semiconducting layers

J Bak-Misiuk, J Domagala, A Misiuk, J Sadowski, Z.R Zytkiewicz, J Trela, I.V Antonova

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 1012 KB

english, 2000

Lattice matching in GaxIn1−xAsyP1−y-GaAs and GaxIn1−xAsyP1−y-InP structures

Z. R. Żytkiewicz

Журнал:

Z. R. Żytkiewicz, Z. Kaliński

Рік:

1979

Мова:

english

Файл:

PDF, 170 KB

english, 1979

GaxIn1−xAsyP1−y/GaAs structure: Liquid phase epitaxial growth and analysis of lattice constants matching conditions

Журнал:

D. Dobosz, Z. R. Żytkiewicz

Рік:

1980

Мова:

english

Файл:

PDF, 604 KB

english, 1980

Diffusion Limited LPE Growth of GaxIn1−xP on (100) GaAs

Журнал:

Applied Physics A: Materials Science & Processing

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 280 KB

english, 1991

X-ray diffraction micro-imaging of strain in laterally overgrown GaAs layers. Part I: analysis of a single GaAs stripe

A. Czyzak, J.Z. Domagala, G. Maciejewski, Z.R. Zytkiewicz

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 990 KB

english, 2008

X-ray diffraction micro-imaging of strain in laterally overgrown GaAs layers. Part II: analysis of multi-stripe and fully overgrown layers

A. Czyzak, J.Z. Domagala, Z.R. Zytkiewicz

Журнал:

Applied Physics A: Materials Science & Processing

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.58 MB

english, 2008

Electroepitaxy from a limited solution volume: Growth kinetics calculations

Z.R. Żytkiewicz

Журнал:

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 779 KB

english, 1983

On the nature of the edge growth in liquid phase epitaxy of GaAs

Журнал:

Zbigniew R. Zytkiewicz, Pawel Strak, Stanislaw Krukowski

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 388 KB

english, 1989

Time dependent simulations of the growth of III–V crystals by the liquid phase electroepitaxy

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 635 KB

english, 2011

Determination of crystal misorientation in epitaxial lateral overgrowth of GaN

W.M. Chen, P.J. McNally, K. Jacobs, T. Tuomi, A.N. Danilewsky, Z.R. Zytkiewicz, D. Lowney, J. Kanatharana, L. Knuuttila, J. Riikonen

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 268 KB

english, 2002

X-ray diffraction studies of epitaxial laterally overgrown (ELOG) GaN layers on sapphire substrates

J.Z Domagala, Z.R Zytkiewicz, B Beaumont, J Kozlowski, R Czernetzki, P Prystawko, M Leszczynski

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 514 KB

english, 2002

Joule effect as a barrier for unrestricted growth of bulk crystals by liquid phase electroepitaxy

Журнал:

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 721 KB

english, 1997

Laterally overgrown structures as substrates for lattice mismatched epitaxy

Z.R Zytkiewicz

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 996 KB

english, 2002

Plasma-assisted MBE growth of GaN on Si(111) substrates

M. Sobanska, K. Klosek, Z. R. Zytkiewicz, J. Borysiuk, B. S. Witkowski, E. Lusakowska, A. Reszka, R. Jakiela

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 453 KB

english, 2012

Electrical characterisation of GaN and AlGaN layers grown by plasma-assisted MBE

V. Kolkovsky, L. Scheffler, M. Sobanska, K. Klosek, Z. R. Zytkiewicz, J. Weber

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 255 KB

english, 2012

Structure modifications in silicon irradiated by ultra-short pulses of XUV free electron laser

Jerzy B. Pełka, Andrzej Andrejczuk, Henryk Reniewicz, Norbert Schell, Jacek Krzywiński, Ryszard Sobierajski, Andrzej Wawro, Zbigniew R. Zytkiewicz, Dorota Klinger, Libor Juha

Журнал:

Pawel Strak, Zbigniew R. Zytkiewicz, Stanislaw Krukowski

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 301 KB

english, 2004

Control of growth uniformity of III–V bulk crystals grown by contactless liquid phase electroepitaxy

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2012

Electrotransport of As in a Ga−As solution: A model of experimental analysis

Z.R. Żytkiewicz

Журнал:

Рік:

1987

Мова:

english

Файл:

PDF, 317 KB

english, 1987

Microdefects and nonstoichiometry level in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy method

V.P Klad’ko, L.I Datsenko, Z Zytkiewicz, J Bak-Misiuk, Z.V Maksimenko

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 174 KB

english, 2001

Pressure-induced defect structure changes in thin AlGaAs layers

J. Bak-Misiuk, A. Shalimov, W. Paszkowicz, A. Misiuk, J. Härtwig, J. Adamczewska, J. Trela, J.Z. Domagala, D. Dobosz, Z.R. Zytkiewicz

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 251 KB

english, 2004

Influence of high hydrostatic pressure–high temperature treatment on defect structure of AlGaAs layers

J. Ba̧k-Misiuk, J. Adamczewska, J. Domagała, Z.R. Zytkiewicz, J. Trela, A. Misiuk, M. Leszczyński, J. Jun, H.B. Surma, A. Wnuk

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 280 KB

english, 1999

Influence of substrate nitridation temperature on epitaxial alignment of GaN nanowires to Si(111) substrate

Wierzbicka, A, Zytkiewicz, Z R, Kret, S, Borysiuk, J, Dluzewski, P, Sobanska, M, Klosek, K, Reszka, A, Tchutchulashvili, G, Cabaj, A, Lusakowska, E

Журнал:

Nanotechnology

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.59 MB

english, 2013

Crystal Defects and Strain of Epitaxial InP Layers Laterally Overgrown on Si

Lankinen, A., Tuomi, T., Karilahti, M., Zytkiewicz, Z. R., Domagala, J. Z., McNally, P. J., Sun, Y-T., Olsson, F., Lourdudoss, S.

Журнал:

Crystal Growth & Design

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 379 KB

english, 2006

Structural and optical characterization of GaN nanowires

Kamyczek, P., Placzek-Popko, E., Zytkiewicz, Z. R., Gumienny, Z., Zielony, E., Sobanska, M., Klosek, K., Reszka, A.

Журнал:

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.16 MB

english, 2013

Piezoscopic deep-level transient spectroscopy studies of the silicon divacancy

Dobaczewski, L., Gościński, K., Żytkiewicz, Z. R., Nielsen, K. Bonde, Rubaldo, L., Andersen, O., Peaker, A. R.

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 88 KB

english, 2002

Electrical characterization of ensemble of GaN nanowires grown by the molecular beam epitaxy technique

Kolkovsky, Vl., Zytkiewicz, Z. R., Sobanska, M., Klosek, K.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 834 KB

english, 2013

Arrangement of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates with amorphous Al2O3 buffers

Sobanska, M., Wierzbicka, A., Klosek, K., Borysiuk, J., Tchutchulashvili, G., Gieraltowska, S., Zytkiewicz, Z.R.

Журнал: